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RH6P040BHTB1  与  BSZ440N10NS3 G  区别

型号 RH6P040BHTB1 BSZ440N10NS3 G
唯样编号 A-RH6P040BHTB1 A3-BSZ440N10NS3 G
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.6mΩ@40A,10V 44mΩ@12A,10V
上升时间 - 1.8ns
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 59W 29W
Qg-栅极电荷 - 9.1nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 8S
典型关闭延迟时间 - 9.1ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT8 PG-TSDSON-8
连续漏极电流Id 40A 18A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
配置 - Single
系列 - OptiMOS™
长度 - 3.3mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
下降时间 - 2ns
典型接通延迟时间 - 4.3ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 640pF @ 50V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.7V @ 12µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9.1nC @ 10V
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 100 10,000
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥10.1103
100+ :  ¥5.0552
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RH6P040BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

¥10.1103 

阶梯数 价格
1: ¥10.1103
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¥5.0212 

阶梯数 价格
30: ¥5.0212
50: ¥4.1684
100: ¥3.718
500: ¥3.7084
1,000: ¥3.6989
2,000: ¥3.6797
4,000: ¥3.6605
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阶梯数 价格
20: ¥7.8576
50: ¥7.5701
100: ¥7.3785
500: ¥7.2827
1,000: ¥7.1868
2,000: ¥6.9952
4,000: ¥6.8994
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¥3.0377 

阶梯数 价格
50: ¥3.0377
100: ¥2.7119
500: ¥2.7023
1,000: ¥2.7023
2,000: ¥2.6831
4,000: ¥2.6735
4,780 对比
RH6P040BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

¥10.1103 

阶梯数 价格
1: ¥10.1103
100: ¥5.0552
100 当前型号

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